Infineon IGBT, VCE 1200 V, IC 200 A, Canale N, Modulo
About The Infineon IGBT, VCE 1200 V, IC 200 A, canale N, Modulo, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 20 mW, Numero di transistor: 7, Configurazione: Trifase, Tipo di montaggio: Montaggio a telaio, Numero pin: 46, MPN: FP200R12N3T7BPSA1
Infineon IGBT, VCE 1200 V, IC 200 A, canale N, Modulo, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 20 mW, Numero di transistor: 7, Configurazione: Trifase, Tipo di montaggio: Montaggio a telaio, Numero pin: 46, MPN: FP200R12N3T7BPSA1
Componenti Elettronici e Connettori > Semiconduttori > Discreti > IGBT
Infineon IGBT, VCE 1200 V, IC 200 A, Canale N, Modulo
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Specifications of Infineon IGBT, VCE 1200 V, IC 200 A, Canale N, Modulo | |
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