Infineon IGBT, VCE 1200 V, IC 50 A, AG-34MM, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 285 W, Configurazione: Dual, Tipo di montaggio: Montaggio a telaio, MPN: FF50R12RT4HOSA1
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Infineon IGBT, VCE 1200 V, IC 50 A, AG-34MM
Specifications of Infineon IGBT, VCE 1200 V, IC 50 A, AG-34MM | |
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