onsemi IGBT, VCE 650 V, IC 80 A, canale N, TO-247, Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 366 W, Tipo di montaggio: Su foro, Velocità di switching: 1MHz, Configurazione transistor: Singolo, Lunghezza: 16.26mm, Larghezza: 5.3mm, Altezza: 21.08mm, Dimensioni: 16.26 x 5.3 x 21.08mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: NGTB40N65FL2WG
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Onsemi IGBT, VCE 650 V, IC 80 A, Canale N, TO-247
Specifications of Onsemi IGBT, VCE 650 V, IC 80 A, Canale N, TO-247 | |
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