onsemi Modulo IGBT, VCE 1000 V, IC 303 A, Q2PACK (senza piombo/alogenuro), Tensione massima gate emitter: ±20V, Dissipazione di potenza massima: 592 W, Numero di transistor: 4, MPN: NXH350N100H4Q2F2S1G
Componenti Elettronici e Connettori > Semiconduttori > Discreti > IGBT
Onsemi Modulo IGBT, VCE 1000 V, IC 303 A, Q2PACK (senza Piombo/alogenuro)
Specifications of Onsemi Modulo IGBT, VCE 1000 V, IC 303 A, Q2PACK (senza Piombo/alogenuro) | |
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