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DiodesZetex MOSFET, Canale N, 2 Ω, 710 MA, SOT-223, Montaggio Superficiale

About The 4V, Dissipazione di potenza massima: 2 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 6.DiodesZetex MOSFET, canale N, 2 Ω, 710 mA, SOT-223, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2

DiodesZetex MOSFET, canale N, 2 Ω, 710 mA, SOT-223, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.4V, Dissipazione di potenza massima: 2 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 6.7mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: ZVN2106GTA

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DiodesZetex MOSFET, Canale N, 2 Ω, 710 MA, SOT-223, Montaggio Superficiale

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Specifications of DiodesZetex MOSFET, Canale N, 2 Ω, 710 MA, SOT-223, Montaggio Superficiale

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