STMicroelectronics Diodo, Su Foro, 10A, 1200V, TO-247 LL

Infineon Regolatore di tensione TLS850C2TEV33ATMA1, Bassa caduta, 500mA, 5-Pin, PG-TO252-5, Precisione: ±2%, Tipo di uscita: Fissa.

8V, Numero di elementi per chip: 1, Serie: ISC010N04NM6, MPN: ISC010N04NM6ATMA1.Infineon MOSFET, canale N, 40 A, SuperSO8 5 x 6, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 40 V, Tensione di soglia gate massima: 2.

1W, Vin 4,5 → 5,5 V c.1W, Vin 4,5 → 5,5 V c.

tot 221 mm, Lavori in quota sicuri: Sì, Materiale: Acciaio al cromo vanadio, Finitura: Cromo Satinato, MPN: 76.21SLS Facom Set di chiavi a pipa, L. tot 221 mm.

Infineon MOSFET, canale N, 35 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 80 V, Tensione di soglia gate massima: 3.

STMicroelectronics MOSFET, canale N, 0,024 Ω, 116 A, H2PAK-7, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 650 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Materiale del transistor: SiC, Serie: SCTH90, MPN: SCTH90N65G2V-7.

STMicroelectronics Diodo, Su foro, 10A, 1200V, TO-247 LL, MPN: STPSC20H12CWL.

Infineon MOSFET, canale N, 260 A, PG HDSOP-16 (TOLT), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 100 V, Tensione di soglia gate massima: 3.

STMicroelectronics Diodo, Su foro, 10A, 1200V, TO-247 LL, MPN: STPSC20H12CWL.

8V, Serie: IAUS260N10S5N019T, MPN: IAUS260N10S5N019TATMA1.Infineon MOSFET, canale N, 260 A, PG HDSOP-16 (TOLT), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 100 V, Tensione di soglia gate massima: 3.