Nexperia MOSFET, Canale N, 14,5 MΩ, 9 A, DFN2020, Montaggio Superficiale

, SPST, Temperatura minima: -10°C, Portata nominale contatto: 16A, Tensione nominale contatto: 230V ca/cc, Tipo terminale: A vite, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Tipo di reset: Automatico, MPN: 603070/0001-6-016-000-25-0-00-15-00-00-000-00-17.

Rittal, 40 x 110 x 30mm, Lunghezza: 40mm, Larghezza: 110mm, Materiale: Plastica, Serie: DK, MPN: 7030150.

STMicroelectronics Microcontrollore, ARM Cortex M0, UFQFPN, STM32F0, 28 Pin, Montaggio superficiale, 32bit, 48MHz, Dimensione memoria programmi: 32 kB, Dimensioni RAM: 6 kB, Canali USB: 1, Tensione di alimentazione operativa tipica: 2→ 3,6 V., MPN: STM32F042G6U6.

Festo Inserto filettato MS4-AGB-EX, per serie MS, Tipo di accessorio: Kit di montaggio.

5/3, MPN: 3210552.Phoenix Contact Copertura terminale, serie D-PTB 2.

85 x 0.25 x 0.85mm, Dimensioni: 1.Nexperia Diodo Zener, 3.

STMicroelectronics Microcontrollore, ARM Cortex M0, TSSOP, STM32F0, 20 Pin, Montaggio superficiale, 32bit, 48MHz, Dimensione memoria programmi: 32 kB, Dimensioni RAM: 6 kB, Canali USB: 1, Tensione di alimentazione operativa tipica: 2,4→ 3,6 V., ADC: 11 x 12 bit, MPN: STM32F070F6P6.

Nexperia MOSFET, canale N, 14,5 mΩ, 9 A, DFN2020, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2V, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 12,5 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 2.1mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: PMPB11EN,115.

, ADC: 11 x 12 bit, MPN: STM32F070F6P6.STMicroelectronics Microcontrollore, ARM Cortex M0, TSSOP, STM32F0, 20 Pin, Montaggio superficiale, 32bit, 48MHz, Dimensione memoria programmi: 32 kB, Dimensioni RAM: 6 kB, Canali USB: 1, Tensione di alimentazione operativa tipica: 2,4→ 3,6 V.

Nexperia MOSFET, canale N, 14,5 mΩ, 9 A, DFN2020, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2V, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 12,5 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 2.1mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: PMPB11EN,115.