Weidmuller Morsettiera Per Circuito Stampato Weidmüller A 12 Vie, Passo 3.5mm, Montaggio Su Cavo

RS PRO Set di punte per svasatura in HSS, 4 punte, dia testa 2mm, angolo svasatura 90°, Tipo di punta per trapano: Set svasatore, Diametro testa: 2mm, 5mm, 10mm, 15mm, 20mm, Contenuto kit: 10 → 15, 15 → 20 mm, 2 → 5, 5 → 10.

2 x 105.8mm, Dimensioni: 100 x 6. max, Guida DIN.8mm, Temperatura operativa minima: -40°C, Temperatura operativa massima: +85°C, MPN: 2906815 Phoenix Contact Dispositivo di protezione contro le sovracorrenti, 30 V c.

Microchip Microcontrollore, AVR, TQFP, ATmega, 32 Pin, Montaggio superficiale, 8bit, 16MHz, Dimensione memoria programmi: 32 kB, Dimensioni RAM: 2,048 kB, MPN: ATMEGA32M1-AU.

Amphenol Aerospace Connettore circolare MIL Connettore femmina, 79 poli, Maschio, MPN: D38999/20MG35PN.

Igus Cuscinetto flangiato, Ø interno 30mm, carico dinamico 5100N, statico 35700N, dimensioni 79 x 87 x 70mm, Tipo unità cuscinetto: Unità cuscinetto blocco cuscino, Larghezza alloggiamento: 87mm, Lunghezza alloggiamento: 79mm, MPN: RJUM-06-30.

nVent Raychem Kit terminazioni per cavi scaldanti Raychem CE20-01, Tipo: Guarnizione terminale.

Weidmuller Morsettiera per circuito stampato Weidmüller a 12 vie, passo 3.

Infineon MOSFET, canale N, 2 mΩ, 100 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 40 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 150 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Tensione diretta del diodo: 1.

5A, Tensione nominale: 320 V, Colore: Nero, Dimensione cavo: 28 → 16 AWG, Materiale contatto: Lega di rame, Placcatura contatto: Stagno, Materiale: PBT, MPN: 1690520000.5mm, Montaggio su cavo, Tipo di morsettiera a innesto: Connettore maschio, Serie: BL, Terminazione: Morsettiera innestabile, Corrente nominale: 14.Weidmuller Morsettiera per circuito stampato Weidmüller a 12 vie, passo 3.

3V, MPN: IPD100N04S402ATMA1.Infineon MOSFET, canale N, 2 mΩ, 100 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 40 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 150 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Tensione diretta del diodo: 1.