onsemi MOSFET, canale N, 189 mΩ, 3,2 A, SOT-223, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 100 V, Numero pin: 3 + Tab, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 2,2 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 1.7mm, Lunghezza: 3.7mm, MPN: FDT86106LZ
Componenti Elettronici e Connettori > Semiconduttori > Discreti > MOSFET
Onsemi MOSFET, Canale N, 189 MΩ, 3,2 A, SOT-223, Montaggio Superficiale
Specifications of Onsemi MOSFET, Canale N, 189 MΩ, 3,2 A, SOT-223, Montaggio Superficiale | |
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