Nexperia MOSFET, canale P, 170 mΩ, 2,3 A, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 20 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 0.95V, Tensione di soglia gate minima: 0.45V, Dissipazione di potenza massima: 6,25 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -8 V, +8 V, Lunghezza: 3mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: BSH205G2R
Componenti Elettronici e Connettori > Semiconduttori > Discreti > MOSFET
Nexperia MOSFET, Canale P, 170 MΩ, 2,3 A, SOT-23, Montaggio Superficiale
Specifications of Nexperia MOSFET, Canale P, 170 MΩ, 2,3 A, SOT-23, Montaggio Superficiale | |
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