onsemi MOSFET, canale N, 7,5 mΩ, 130 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 150 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 333 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 10.67mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: FDB075N15A
Componenti Elettronici e Connettori > Semiconduttori > Discreti > MOSFET
Onsemi MOSFET, Canale N, 7,5 MΩ, 130 A, D2PAK (TO-263), Montaggio Superficiale
Specifications of Onsemi MOSFET, Canale N, 7,5 MΩ, 130 A, D2PAK (TO-263), Montaggio Superficiale | |
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