Infineon MOSFET, canale N, 45 mΩ, 5,2 A, SOT-223, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 55 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 2,1 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 6.7mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IRFL4105TRPBF
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Infineon MOSFET, Canale N, 45 MΩ, 5,2 A, SOT-223, Montaggio Superficiale
Specifications of Infineon MOSFET, Canale N, 45 MΩ, 5,2 A, SOT-223, Montaggio Superficiale | |
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