onsemi MOSFET, canale N, 2,3 mΩ, 222 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 100 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 214 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±20 V, Tensione diretta del diodo: 1.3V, MPN: FDP2D3N10C
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Onsemi MOSFET, Canale N, 2,3 MΩ, 222 A, TO-220, Su Foro
Specifications of Onsemi MOSFET, Canale N, 2,3 MΩ, 222 A, TO-220, Su Foro | |
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