Onsemi MOSFET, Canale P, 105 MΩ, 3 A, SOT-23, Montaggio Superficiale
About The onsemi MOSFET, canale P, 105 mΩ, 3 A, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 1,6 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 3mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: FDC5614P
onsemi MOSFET, canale P, 105 mΩ, 3 A, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 1,6 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 3mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: FDC5614P
Componenti Elettronici e Connettori > Semiconduttori > Discreti > MOSFET
Onsemi MOSFET, Canale P, 105 MΩ, 3 A, SOT-23, Montaggio Superficiale
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Specifications of Onsemi MOSFET, Canale P, 105 MΩ, 3 A, SOT-23, Montaggio Superficiale | |
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