onsemi MOSFET, canale P, 170 mΩ, 1,25 A, SOT-23, Montaggio superficiale
onsemi MOSFET, canale P, 170 mΩ, 1,25 A, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 500 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 0.92mm, MPN: FDN5618P.94mm, Lunghezza: 2.