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DiodesZetex MOSFET, Canale P, 113 MΩ, 4,2 A, SOT-23, Montaggio Superficiale

About The DiodesZetex MOSFET, canale P, 113 mΩ, 4,2 A, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 20 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 0.9V, Dissipazione di potenza massima: 1,4 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -8 V, +8 V, Lunghezza: 3mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: DMP2305U-7

DiodesZetex MOSFET, canale P, 113 mΩ, 4,2 A, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 20 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 0.9V, Dissipazione di potenza massima: 1,4 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -8 V, +8 V, Lunghezza: 3mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: DMP2305U-7

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Specifications of DiodesZetex MOSFET, Canale P, 113 MΩ, 4,2 A, SOT-23, Montaggio Superficiale

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