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Onsemi MOSFET, Canale N, 100 MΩ, 3,5 A, SOIC, Montaggio Superficiale

About The onsemi MOSFET, canale N, 100 mΩ, 3,5 A, SOIC, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Dissipazione di potenza massima: 2 W, Configurazione transistor: Isolato, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 5mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: FDS9945

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Specifications of Onsemi MOSFET, Canale N, 100 MΩ, 3,5 A, SOIC, Montaggio Superficiale
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Last Updated December 25th, 2023 01:58 pm

Onsemi MOSFET, Canale N, 100 MΩ, 3,5 A, SOIC, Montaggio Superficiale

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onsemi MOSFET, canale N, 100 mΩ, 3,5 A, SOIC, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Dissipazione di potenza massima: 2 W, Configurazione transistor: Isolato, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 5mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: FDS9945.

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HARTING Vite, serie D-Sub per Connettore D-Sub, Accessorio: Viti a pressione, Tipologia: Femmina, Materiale: Ottone, MPN: 09670009924 .

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