ROHM MOSFET, canale P, 14,8 mΩ, 10 A, TSMT-8, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.5V, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 1,5 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±20 V, Lunghezza: 3.1mm, Massima temperatura operativa: 150 °C, MPN: RQ7E100ATTCR
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ROHM MOSFET, Canale P, 14,8 MΩ, 10 A, TSMT-8, Montaggio Superficiale
Specifications of ROHM MOSFET, Canale P, 14,8 MΩ, 10 A, TSMT-8, Montaggio Superficiale | |
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