onsemi MOSFET ON Semiconductor, canale P, 280 mΩ, 1,3 A, SOT-323, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Tipo di package: SOT-323 (SC-70), Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1.5V, Dissipazione di potenza massima: 350 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -12 V, +12 V, Altezza: 0.9mm, Lunghezza: 2.2mm, MPN: NTS4173PT1G
Componenti Elettronici e Connettori > Semiconduttori > Discreti > MOSFET
Onsemi MOSFET ON Semiconductor, Canale P, 280 MΩ, 1,3 A, SOT-323, Montaggio Superficiale
Specifications of Onsemi MOSFET ON Semiconductor, Canale P, 280 MΩ, 1,3 A, SOT-323, Montaggio Superficiale | |
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