Infineon MOSFET, canale N, 6,9 mΩ, 15 A, SA, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 20 V, Numero pin: 3 + Tab, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1.1V, Tensione di soglia gate minima: 0.5V, Dissipazione di potenza massima: 25 W, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 4.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IRL6297SDTRPBF
Componenti Elettronici e Connettori > Semiconduttori > Discreti > MOSFET
Infineon MOSFET, Canale N, 6,9 MΩ, 15 A, SA, Montaggio Superficiale
Specifications of Infineon MOSFET, Canale N, 6,9 MΩ, 15 A, SA, Montaggio Superficiale | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |
Last Updated