Infineon MOSFET, canale P, 0,0034 Ω, 120 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 40 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.2V, Materiale del transistor: Silicone, Serie: IPP, MPN: IPP120P04P4L03AKSA2
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Infineon MOSFET, Canale P, 0,0034 Ω, 120 A, TO-220, Su Foro
Specifications of Infineon MOSFET, Canale P, 0,0034 Ω, 120 A, TO-220, Su Foro | |
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