reorder
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New
Componenti Elettronici e Connettori
Semiconduttori
Discreti
MOSFET
DiodesZetex

DiodesZetex MOSFET, Canale N, 0,0028 Ω, 100 A, PowerDI5060-8, Montaggio Superficiale

About The DiodesZetex MOSFET, canale N, 0,0028 Ω, 100 A, PowerDI5060-8, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3V, MPN: DMT32M4LPSW-13

DiodesZetex MOSFET, canale N, 0,0028 Ω, 100 A, PowerDI5060-8, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3V, MPN: DMT32M4LPSW-13

Componenti Elettronici e Connettori > Semiconduttori > Discreti > MOSFET

DiodesZetex MOSFET, Canale N, 0,0028 Ω, 100 A, PowerDI5060-8, Montaggio Superficiale

Componenti Elettronici e Connettori > Semiconduttori > Discreti > MOSFET

Specifications of DiodesZetex MOSFET, Canale N, 0,0028 Ω, 100 A, PowerDI5060-8, Montaggio Superficiale

Category
Instockinstock

Last Updated

DiodesZetex MOSFET, Canale N, 0,0028 Ω, 100 A, PowerDI5060-8, Montaggio Superficiale
More Varieties
Componenti Elettronici e Connettori
Semiconduttori
Discreti

Rating :- 9.38 /10
Votes :- 7
Tesa Nastro biadesivo in Tessuto, 50mm x 25m x 0.2mm

Tesa Nastro biadesivo in Tessuto, 50mm x 25m x 0.2mm

2mm, Tipo di nastro: Nastro in tessuto, MPN: 04934-00002-00.

  • Meccanica & Potenza fluida e Utensili
  • Adesivi & sigillanti e nastri
  • Nastri
  • Nastri biadesivi
  • Tesa
    • Tektronix Licenza per MSO serie 4

    Tektronix Licenza per MSO serie 4

    Tektronix Licenza per MSO serie 4, MPN: SUP4-SRAERO.

  • DPI & Sicurezza & Strumentazione e IT
  • Strumenti di misura
  • Oscilloscopi e accessori
  • Software per oscilloscopi
  • Tektronix
    • Omron Barriera fotoelettrica, serie F3SG, fascio 14mm, 15 → 207 fasci

    Omron Barriera fotoelettrica, serie F3SG, fascio 14mm, 15 → 207 fasci

    Omron Barriera fotoelettrica, serie F3SG, fascio 14mm, 15 → 207 fasci, Range: Standard F3SG-SRB, Tipo di componente: Ricevitore, trasmettitore, MPN: F3SG2SRB048014.

  • Cavi & Elettricità e Automazione
  • Automazione e Controllo di Processo
  • Sensori
  • Barriere fotoelettriche
  • Omron
    • Panasonic Resistenza SMD Film spesso, 43Ω, 1210 (3225M), ±1%, 0.5W

    Panasonic Resistenza SMD Film spesso, 43Ω, 1210 (3225M), ±1%, 0.5W

    5W, Coefficiente di temperatura: ±100ppm/°C, Standard per uso automobilistico: AEC-Q200, Serie: ERJP14, Temperatura operativa minima: -55°C, Temperatura operativa massima: +155°C, MPN: ERJP14F43R0U.Panasonic Resistenza SMD Film spesso, 43Ω, 1210 (3225M), ±1%, 0.

  • Componenti Elettronici e Connettori
  • Passivi
  • Resistori
  • Resistenze SMD
  • Panasonic
    • BETA Chiave a bussola, guide di varie dimensioni, L.

    BETA Chiave a bussola, guide di varie dimensioni, L.

    182 mm.182 mm, Dimensione guida: 25 mm, 28 mm, Tipo manico: Tubo, Approvato VDE/1000V: No, MPN: 930 25X28 BETA Chiave a bussola, guide di varie dimensioni, L.

  • Meccanica & Potenza fluida e Utensili
  • Utensili manuali
  • Chiavi a bussola e chiavi inglesi
  • Chiavi a bussola
  • BETA
    • ROHM Resistenza Film spesso, 0805 (2012M), ±1%, 0.4W

    ROHM Resistenza Film spesso, 0805 (2012M), ±1%, 0.4W

    4W, Serie: ESR10, MPN: ESR10EZPF12R0.ROHM Resistenza Film spesso, 0805 (2012M), ±1%, 0.

  • Componenti Elettronici e Connettori
  • Passivi
  • Resistori
  • Resistenze SMD
  • ROHM
    • DiodesZetex MOSFET, canale N, 0,0028 Ω, 100 A, PowerDI5060-8, Montaggio superficiale

    DiodesZetex MOSFET, canale N, 0,0028 Ω, 100 A, PowerDI5060-8, Montaggio superficiale

    DiodesZetex MOSFET, canale N, 0,0028 Ω, 100 A, PowerDI5060-8, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3V, MPN: DMT32M4LPSW-13.

  • Componenti Elettronici e Connettori
  • Semiconduttori
  • Discreti
  • MOSFET
  • DiodesZetex
    • EPCOS Induttore al piombo, 100 μH, 1A, Assiale, 6.5 (Dia.) x 26mm, Resistenza in c.c.

    EPCOS Induttore al piombo, 100 μH, 1A, Assiale, 6.5 (Dia.) x 26mm, Resistenza in c.c.

    ) x 26mm.8mm, Temperatura operativa massima: +125°C, Temperatura operativa minima: -55°C, Tipo di terminale: Con terminale assiale, MPN: B82111E0000C025 EPCOS Induttore al piombo, 100 μH, 1A, Assiale, 6.

  • Componenti Elettronici e Connettori
  • Passivi
  • Induttori
  • Induttori terminati
  • EPCOS
    • DiodesZetex MOSFET, canale N, 0,0028 Ω, 100 A, PowerDI5060-8, Montaggio superficiale

    DiodesZetex MOSFET, canale N, 0,0028 Ω, 100 A, PowerDI5060-8, Montaggio superficiale

    DiodesZetex MOSFET, canale N, 0,0028 Ω, 100 A, PowerDI5060-8, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 3V, MPN: DMT32M4LPSW-13.

  • Componenti Elettronici e Connettori
  • Semiconduttori
  • Discreti
  • MOSFET
  • DiodesZetex
    • EPCOS Induttore al piombo, 100 μH, 1A, Assiale, 6.5 (Dia.) x 26mm, Resistenza in c.c.

    EPCOS Induttore al piombo, 100 μH, 1A, Assiale, 6.5 (Dia.) x 26mm, Resistenza in c.c.

    8mm, Temperatura operativa massima: +125°C, Temperatura operativa minima: -55°C, Tipo di terminale: Con terminale assiale, MPN: B82111E0000C025 EPCOS Induttore al piombo, 100 μH, 1A, Assiale, 6.5 (Dia.5mm, Materiale base: Ferrite, Frequenza di risonanza massima: 55MHz, Serie: B82111E, Diametro terminale: 0.massima: 650mΩ, Tolleranza: ±20%, Diametro: 6.

  • Componenti Elettronici e Connettori
  • Passivi
  • Induttori
  • Induttori terminati
  • EPCOS