Vishay Siliconix MOSFET, Canale N, 40 MΩ, 6 A, PowerPAK 1212-8, Montaggio Superficiale
About The 15mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: SQS944ENW-T1_GE3.5V, Tensione di soglia gate minima: 1
Vishay Siliconix MOSFET, canale N, 40 mΩ, 6 A, PowerPAK 1212-8, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 40 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.5V, Tensione di soglia gate minima: 1.5V, Dissipazione di potenza massima: 27,8 W, Tensione massima gate source: ±20 V, Lunghezza: 3.15mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: SQS944ENW-T1_GE3
Componenti Elettronici e Connettori > Semiconduttori > Discreti > MOSFET
Vishay Siliconix MOSFET, Canale N, 40 MΩ, 6 A, PowerPAK 1212-8, Montaggio Superficiale
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Specifications of Vishay Siliconix MOSFET, Canale N, 40 MΩ, 6 A, PowerPAK 1212-8, Montaggio Superficiale | |
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