IXYS MOSFET, canale N, 16 mΩ, 80 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 250 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, Tensione di soglia gate minima: 2.5V, Dissipazione di potenza massima: 390 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±20 V, Lunghezza: 16.24mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFH80N25X3
Componenti Elettronici e Connettori > Semiconduttori > Discreti > MOSFET
IXYS MOSFET, Canale N, 16 MΩ, 80 A, TO-247, Su Foro
Specifications of IXYS MOSFET, Canale N, 16 MΩ, 80 A, TO-247, Su Foro | |
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