STMicroelectronics MOSFET, canale N, 21 mΩ, 7,5 A, SO-8, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Resistenza massima drain source: 21 m Ω, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 2,5 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±16 V, Tensione diretta del diodo: 1.2V, Altezza: 1.65mm, MPN: STS7NF60L
Componenti Elettronici e Connettori > Semiconduttori > Discreti > MOSFET
STMicroelectronics MOSFET, Canale N, 21 MΩ, 7,5 A, SO-8, Montaggio Superficiale
Specifications of STMicroelectronics MOSFET, Canale N, 21 MΩ, 7,5 A, SO-8, Montaggio Superficiale | |
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