DiodesZetex MOSFET, Canale P, 160 MΩ, 4,7 A, X2-DFN2015, Montaggio Superficiale
About The 3V, Dissipazione di potenza massima: 1,49 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±8 V, Tensione diretta del diodo: 1.DiodesZetex MOSFET, canale P, 160 mΩ, 4,7 A, X2-DFN2015, Montaggio superficiale, Corrente massima continuativa di drain: 3,8 A (stato), 4,7 A (fisso), Tensione massima drain source: 20 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1V, Tensione di soglia gate minima: 0
DiodesZetex MOSFET, canale P, 160 mΩ, 4,7 A, X2-DFN2015, Montaggio superficiale, Corrente massima continuativa di drain: 3,8 A (stato), 4,7 A (fisso), Tensione massima drain source: 20 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1V, Tensione di soglia gate minima: 0.3V, Dissipazione di potenza massima: 1,49 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±8 V, Tensione diretta del diodo: 1.2V, MPN: DMP2045UFY4-7
Componenti Elettronici e Connettori > Semiconduttori > Discreti > MOSFET
DiodesZetex MOSFET, Canale P, 160 MΩ, 4,7 A, X2-DFN2015, Montaggio Superficiale
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Specifications of DiodesZetex MOSFET, Canale P, 160 MΩ, 4,7 A, X2-DFN2015, Montaggio Superficiale | |
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