STMicroelectronics MOSFET, canale N, 1,2 Ω, 4,5 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale
STMicroelectronics MOSFET, canale N, 1,2 Ω, 4,5 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 650 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 60 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -25 V, +25 V, Lunghezza: 6.