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Infineon MOSFET, Canale N, 0,002 Ω, 120 A, D2PAK (TO-263), Su Foro

About The Infineon MOSFET, canale N, 0,002 Ω, 120 A, D2PAK (TO-263), Su foro, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Serie: OptiMOS™-T2, MPN: IPB120N06S4H1ATMA2

Infineon MOSFET, canale N, 0,002 Ω, 120 A, D2PAK (TO-263), Su foro, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Serie: OptiMOS™-T2, MPN: IPB120N06S4H1ATMA2

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Specifications of Infineon MOSFET, Canale N, 0,002 Ω, 120 A, D2PAK (TO-263), Su Foro

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