Nexperia MOSFET, canale N, 24,4 mΩ, 61 A, LFPAK33, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.6V, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 91 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: 20 V, Lunghezza: 3.4mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: PSMN011-60MSX
Componenti Elettronici e Connettori > Semiconduttori > Discreti > MOSFET
Nexperia MOSFET, Canale N, 24,4 MΩ, 61 A, LFPAK33, Montaggio Superficiale
Specifications of Nexperia MOSFET, Canale N, 24,4 MΩ, 61 A, LFPAK33, Montaggio Superficiale | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |
Last Updated