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Nexperia MOSFET, Canale N, 11,3 MΩ, 55 A, LFPAK33, Montaggio Superficiale

About The 95V, Tensione di soglia gate minima: 1.Nexperia MOSFET, canale N, 11,3 mΩ, 55 A, LFPAK33, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 25 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1

Nexperia MOSFET, canale N, 11,3 mΩ, 55 A, LFPAK33, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 25 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1.95V, Tensione di soglia gate minima: 1.3V, Dissipazione di potenza massima: 45 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 3.4mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: PSMN9R0-25MLC,115

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Specifications of Nexperia MOSFET, Canale N, 11,3 MΩ, 55 A, LFPAK33, Montaggio Superficiale

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