Onsemi MOSFET, Canale N, 14,5 MΩ, 14 A, Power 33, Montaggio Superficiale

Schneider Electric Pannello per Spacial SF, 1200 x 800mm, Altezza: 1200mm, Serie: NSYBP, MPN: NSYBP128.

81mm, Tipo di morsettiera a innesto: Connettore, Serie: WR-TBL, Orientamento: Ad angolo retto, Tipo di montaggio: Montaggio PCB, Terminazione: Saldare, Corrente nominale: 10.0A, Tensione nominale: 300,0 V., Materiale contatto: Ottone, Placcatura contatto: Stagno, MPN: 691329300006.Wurth Elektronik File di contatti PCB, 6 vie, 2 file, passo 3.

7mm, Ø est.5mm, Minima temperatura operativa: -25°C, Massima temperatura operativa: +250°C, MPN: 205002 Hutchinson Le Joint Français Guarnizioni di tenuta in Gomma: DF851 e rondella: acciaio dolce, Ø int.10.7mm, Ø est.

111µF, Peso: 425g, Larghezza: 70mm.

005, Efficienza: 0., Vout ±15V cc, 1. 8W, Vin 18 → 36 V c.

c., Tecnologia sensori: Induttivo, Stile corpo: Blocco, Tipo terminale: Pressacavo M20, Grado IP: IP68, IP69K, Lunghezza: 118mm, Larghezza: 40mm, Tensione massima c.c.

onsemi MOSFET, canale N, 14,5 mΩ, 14 A, Power 33, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 40 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 30 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 3.3mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: FDMC8327L.

Vishay Diodo raddrizzatore e Schottky, Montaggio superficiale, 2A, 120V, DO-221AD, Raddrizzatore Schottky, Configurazione diodi: Singolo, Tecnologia del diodo: Barriera Schottky, MPN: VSS8D2M12-M3/H.

onsemi MOSFET, canale N, 14,5 mΩ, 14 A, Power 33, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 40 V, Numero pin: 8, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 30 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 3.3mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: FDMC8327L.

Vishay Diodo raddrizzatore e Schottky, Montaggio superficiale, 2A, 120V, DO-221AD, Raddrizzatore Schottky, Configurazione diodi: Singolo, Tecnologia del diodo: Barriera Schottky, MPN: VSS8D2M12-M3/H.