STMicroelectronics MOSFET, canale N, 4,5 Ω, 2,5 A, IPAK (TO-251), Su foro, Tensione massima drain source: 800 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4.5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 70 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Altezza: 6.2mm, MPN: STD3NK80Z-1
Componenti Elettronici e Connettori > Semiconduttori > Discreti > MOSFET
STMicroelectronics MOSFET, Canale N, 4,5 Ω, 2,5 A, IPAK (TO-251), Su Foro
Specifications of STMicroelectronics MOSFET, Canale N, 4,5 Ω, 2,5 A, IPAK (TO-251), Su Foro | |
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