Nexperia MOSFET, Canale N, 2,7 MΩ, 100 A, TO-220AB, Su Foro
About The 3V, Dissipazione di potenza massima: 170 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 16mm, MPN: PSMN2R7-30PL,127.Nexperia MOSFET, canale N, 2,7 mΩ, 100 A, TO-220AB, Su foro, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2
Nexperia MOSFET, canale N, 2,7 mΩ, 100 A, TO-220AB, Su foro, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.15V, Tensione di soglia gate minima: 1.3V, Dissipazione di potenza massima: 170 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 16mm, MPN: PSMN2R7-30PL,127
Componenti Elettronici e Connettori > Semiconduttori > Discreti > MOSFET
Nexperia MOSFET, Canale N, 2,7 MΩ, 100 A, TO-220AB, Su Foro
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Specifications of Nexperia MOSFET, Canale N, 2,7 MΩ, 100 A, TO-220AB, Su Foro | |
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