Vishay MOSFET, Canale N, 32 MΩ, 30 A, PowerPAK 1212-8, Montaggio Superficiale
About The .5V, Dissipazione di potenza massima: 52 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 3
Vishay MOSFET, canale N, 32 mΩ, 30 A, PowerPAK 1212-8, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 80 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 1.5V, Dissipazione di potenza massima: 52 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 3.4mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: SIS468DN-T1-GE3
Componenti Elettronici e Connettori > Semiconduttori > Discreti > MOSFET
Vishay MOSFET, Canale N, 32 MΩ, 30 A, PowerPAK 1212-8, Montaggio Superficiale
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Specifications of Vishay MOSFET, Canale N, 32 MΩ, 30 A, PowerPAK 1212-8, Montaggio Superficiale | |
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