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Nexperia MOSFET, Canale N, 1,7 MΩ, 100 A, LFPAK, SOT-669, Montaggio Superficiale

About The Nexperia MOSFET, canale N, 1,7 mΩ, 100 A, LFPAK, SOT-669, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 25 V, Numero pin: 4, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1.05V, Dissipazione di potenza massima: 179 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 5mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: PSMN1R2-25YLC,115

Nexperia MOSFET, canale N, 1,7 mΩ, 100 A, LFPAK, SOT-669, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 25 V, Numero pin: 4, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1.95V, Tensione di soglia gate minima: 1.05V, Dissipazione di potenza massima: 179 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Lunghezza: 5mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: PSMN1R2-25YLC,115

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Specifications of Nexperia MOSFET, Canale N, 1,7 MΩ, 100 A, LFPAK, SOT-669, Montaggio Superficiale

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