onsemi MOSFET, canale P, 45 mΩ, 8 A, MLP, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 20 V, Numero pin: 6, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 0.4V, Dissipazione di potenza massima: 2,1 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -8 V, +8 V, Altezza: 0.5mm, Lunghezza: 1.6mm, MPN: FDME910PZT
Componenti Elettronici e Connettori > Semiconduttori > Discreti > MOSFET
Onsemi MOSFET, Canale P, 45 MΩ, 8 A, MLP, Montaggio Superficiale
Specifications of Onsemi MOSFET, Canale P, 45 MΩ, 8 A, MLP, Montaggio Superficiale | |
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