DiodesZetex MOSFET, Canale N, 3 MΩ, 407 MA, X1-DFN1006, Montaggio Superficiale
About The DiodesZetex MOSFET, canale N, 3 mΩ, 407 mA, X1-DFN1006, Montaggio superficiale, Corrente massima continuativa di drain: 325 mA (stato), 407 mA (fisso), Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1V, Tensione di soglia gate minima: 0.6V, Dissipazione di potenza massima: 500 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±20 V, Tensione diretta del diodo: 1
DiodesZetex MOSFET, canale N, 3 mΩ, 407 mA, X1-DFN1006, Montaggio superficiale, Corrente massima continuativa di drain: 325 mA (stato), 407 mA (fisso), Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1V, Tensione di soglia gate minima: 0.6V, Dissipazione di potenza massima: 500 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±20 V, Tensione diretta del diodo: 1.3V, MPN: DMN62D1LFB-7B
Componenti Elettronici e Connettori > Semiconduttori > Discreti > MOSFET
DiodesZetex MOSFET, Canale N, 3 MΩ, 407 MA, X1-DFN1006, Montaggio Superficiale
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