STMicroelectronics MOSFET, canale N, 6,5 mΩ, 80 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale
STMicroelectronics MOSFET, canale N, 6,5 mΩ, 80 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 55 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 4V, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 300 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±20 V, Lunghezza: 10.4mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: STB80NF55-06T4.