Taiwan Semiconductor MOSFET, canale N, 65 mΩ, 2,8 A, SOT-23, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 20 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1.2V, Dissipazione di potenza massima: 900 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -8 V, +8 V, Lunghezza: 3.05mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: TSM2302CX RFG
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Taiwan Semiconductor MOSFET, Canale N, 65 MΩ, 2,8 A, SOT-23, Montaggio Superficiale
Specifications of Taiwan Semiconductor MOSFET, Canale N, 65 MΩ, 2,8 A, SOT-23, Montaggio Superficiale | |
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