Infineon IGBT, VCE 650 V, IC 30 A, PG-TO263-3
About The Infineon IGBT, VCE 650 V, IC 30 A, PG-TO263-3, Tensione massima gate emitter: ±20 V, ±30 V, Dissipazione di potenza massima: 105 W, MPN: IKB15N65EH5ATMA1
Infineon IGBT, VCE 650 V, IC 30 A, PG-TO263-3, Tensione massima gate emitter: ±20 V, ±30 V, Dissipazione di potenza massima: 105 W, MPN: IKB15N65EH5ATMA1
Componenti Elettronici e Connettori > Semiconduttori > Discreti > IGBT
Infineon IGBT, VCE 650 V, IC 30 A, PG-TO263-3
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Specifications of Infineon IGBT, VCE 650 V, IC 30 A, PG-TO263-3 | |
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