Vishay MOSFET, canale N, 100 mΩ, 30 A, TO-220, Su foro, Tensione massima drain source: 600 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 5V, Tensione di soglia gate minima: 3V, Dissipazione di potenza massima: 35 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±30 V, Tensione diretta del diodo: 1.2V, MPN: SIHA100N60E-GE3
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Vishay MOSFET, Canale N, 100 MΩ, 30 A, TO-220, Su Foro
Specifications of Vishay MOSFET, Canale N, 100 MΩ, 30 A, TO-220, Su Foro | |
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