onsemi MOSFET, canale N, 48 mΩ, 20 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 60 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -15 V, +15 V, Lunghezza: 6.73mm, Massima temperatura operativa: +175 °C, MPN: NTD20N06LT4G
Componenti Elettronici e Connettori > Semiconduttori > Discreti > MOSFET
Onsemi MOSFET, Canale N, 48 MΩ, 20 A, DPAK (TO-252), Montaggio Superficiale
Specifications of Onsemi MOSFET, Canale N, 48 MΩ, 20 A, DPAK (TO-252), Montaggio Superficiale | |
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