Vishay MOSFET, Canale P, 13 MΩ, 35 A, PowerPAK 1212-8SH, Montaggio Superficiale
About The 3mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: SiSH101DN-T1-GE3.2V, Dissipazione di potenza massima: 52 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±25 V, Lunghezza: 3
Vishay MOSFET, canale P, 13 mΩ, 35 A, PowerPAK 1212-8SH, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.5V, Tensione di soglia gate minima: 1.2V, Dissipazione di potenza massima: 52 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: ±25 V, Lunghezza: 3.3mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: SiSH101DN-T1-GE3
Componenti Elettronici e Connettori > Semiconduttori > Discreti > MOSFET
Vishay MOSFET, Canale P, 13 MΩ, 35 A, PowerPAK 1212-8SH, Montaggio Superficiale
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Specifications of Vishay MOSFET, Canale P, 13 MΩ, 35 A, PowerPAK 1212-8SH, Montaggio Superficiale | |
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