Vishay MOSFET, canale N, 2,01 mΩ, 181.8 A., PowerPAK 1212-8S, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 30 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 2.5V, Tensione di soglia gate minima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 65.8 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -12 V, +16 V, Lunghezza: 3.3mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: SISS60DN-T1-GE3
Componenti Elettronici e Connettori > Semiconduttori > Discreti > MOSFET
Vishay MOSFET, Canale N, 2,01 MΩ, 181.8 A., PowerPAK 1212-8S, Montaggio Superficiale
Specifications of Vishay MOSFET, Canale N, 2,01 MΩ, 181.8 A., PowerPAK 1212-8S, Montaggio Superficiale | |
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