Onsemi IGBT, VCE 650 V, IC 60 A, Canale P, TO-247 G03
About The 82mm, Classe di efficienza energetica: 50mJ, Capacità del gate: 3813pF, Massima temperatura operativa: +175 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, MPN: FGH60T65SQD-F155.onsemi IGBT, VCE 650 V, IC 60 A, canale P, TO-247 G03, Tensione massima gate emitter: ±30V, Dissipazione di potenza massima: 333 W, Numero di transistor: 1, Tipo di montaggio: Su foro, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 15
onsemi IGBT, VCE 650 V, IC 60 A, canale P, TO-247 G03, Tensione massima gate emitter: ±30V, Dissipazione di potenza massima: 333 W, Numero di transistor: 1, Tipo di montaggio: Su foro, Configurazione transistor: Singolo, Dimensioni: 15.87 x 4.82 x 20.82mm, Classe di efficienza energetica: 50mJ, Capacità del gate: 3813pF, Massima temperatura operativa: +175 °C, Minima temperatura operativa: -55 °C, MPN: FGH60T65SQD-F155
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Onsemi IGBT, VCE 650 V, IC 60 A, Canale P, TO-247 G03
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Specifications of Onsemi IGBT, VCE 650 V, IC 60 A, Canale P, TO-247 G03 | |
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