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DiodesZetex MOSFET, Canale P, 0.06 Ω, 5,3 A, PowerDI3333-8, Montaggio Superficiale

About The DiodesZetex MOSFET, canale P, 0.06 Ω, 5,3 A, PowerDI3333-8, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 20 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1

DiodesZetex MOSFET, canale P, 0.06 Ω, 5,3 A, PowerDI3333-8, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 20 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1.5V, MPN: DMP2040UND-7

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Specifications of DiodesZetex MOSFET, Canale P, 0.06 Ω, 5,3 A, PowerDI3333-8, Montaggio Superficiale

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Infineon IGBT, VCE 1200 V, IC 100 A

Infineon IGBT, VCE 1200 V, IC 100 A

Infineon IGBT, VCE 1200 V, IC 100 A, Tensione massima gate emitter: 20V, Dissipazione di potenza massima: 20 mW, MPN: FP100R12N2T7B11BPSA1.

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    • Molex Presa PCB, 3 vie, 1 fila, passo 2mm

    Molex Presa PCB, 3 vie, 1 fila, passo 2mm

    Molex Presa PCB, 3 vie, 1 fila, passo 2mm, Tipo: Corpo connettore, Corrente nominale: 3A, Tensione nominale: 125 V, Numero di serie: 502351, MPN: 502351-0300.

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    • Vishay Condensatore, serie 038 RSU, 4700μF, 35V cc, ±20%, +85°C, Radiale, Foro passante

    Vishay Condensatore, serie 038 RSU, 4700μF, 35V cc, ±20%, +85°C, Radiale, Foro passante

    ) x 35mm, Temperatura operativa minima: -40°C, Diametro: 18mm, Passo: 7.7A, MPN: MAL203850472E3.Vishay Condensatore, serie 038 RSU, 4700μF, 35V cc, ±20%, +85°C, Radiale, Foro passante, Capacità: 4700µF, Tipo di montaggio: Su foro, Tecnologia: Elettrolitico, Dimensioni: 18 (Dia.5mm, Durata: 3500h, Corrente di perdita: 1645 μA, Corrente di ripple: 2.

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