Onsemi MOSFET, Canale P, 70 MΩ, 8,4 A, SOT-223, Montaggio Superficiale

41mm, Altezza: 6.

RS PRO Cinghia sincrona, 85 denti, passo 14mm, dimensioni 1190mm x 40mm, in Gomma.

Wurth Elektronik Connettore coassiale Angolo destro, Femmina, Montaggio PCB, Tipo connettore coassiale: Connettore SMA.

0 EAO Interruttore a pulsante illuminato per uso con Interruttori serie 61, col.Nero, Accessori: Attuatore a pulsante, Materiale attuatore: Plastica, Tipo di montaggio: Montaggio a pannello, Modalità di funzionamento: Momentaneo, Standard soddisfatti: Certificazione CE, CSA, UL, Tipo terminale: A innesto, a saldare, Minima temperatura operativa: -25°C, Massima temperatura operativa: +55°C, Range di temperatura operativa: -25 → +55°C, MPN: 61-1100.

8MHz, Passo: 5mm, Serie: RLB, Diametro terminale: 0.) x 12mm, Materiale base: Ferrite, Frequenza di risonanza massima: 1.7 (Dia.massima: 1.

onsemi Diodo di protezione ESD, 5,25 V, Potenza nominale: 225 mW, Lunghezza: 3.1mm, Dimensioni: 3,1 x 1,7 x 1 mm, MPN: NUF2101MT1G.

65mm, Lunghezza: 6.onsemi MOSFET, canale P, 70 mΩ, 8,4 A, SOT-223, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 20 V, Numero pin: 3 + Tab, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 8,3 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -8 V, +8 V, Altezza: 1.7mm, MPN: NVF6P02T3G.

25 x 1.

onsemi MOSFET, canale P, 70 mΩ, 8,4 A, SOT-223, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 20 V, Numero pin: 3 + Tab, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1V, Dissipazione di potenza massima: 8,3 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -8 V, +8 V, Altezza: 1.65mm, Lunghezza: 6.7mm, MPN: NVF6P02T3G.

3mm, Dimensioni: 2 x 1.EPCOS Termistore NTC, 47kΩ, tolleranza ±5%, case 0805 (2012M), Serie: B574**V2, Costante di tempo termica: 10s, Potenza massima: 210mW, Lunghezza: 2mm, Profondità: 1.