Onsemi MOSFET, Canale N, 5,2 MΩ, 50 A, 136 A, DPAK (TO-252), Montaggio Superficiale

Orn Pile da lavoro, XS, Proprietà materiale: Resistente al freddo, Materiale esterno: Poliestere, MPN: 3200-30/N/XS.

Vishay Diodo raddrizzatore e Schottky, Montaggio superficiale, 3A, 150V, SMP (DO-220AA), Raddrizzatore Schottky, MPN: V3PM15HM3/H.

Vishay Diodo raddrizzatore e Schottky, Montaggio superficiale, 3A, 60V, SMP (DO-220AA), Raddrizzatore Schottky, Configurazione diodi: Singolo, Numero di elementi per chip: 1, Tecnologia del diodo: Barriera Schottky, MPN: V3PM6HM3/H.

Grigio, IP66, Lunghezza esterna: 200 mm, Altezza esterna: 60 mm, Larghezza esterna: 120 mm, Schermato: No, Serie: Robust-Box, MPN: C2012201 OKW Contenitore in ABS 200 x 120 x 60mm, col.

HARTING File di contatti PCB, 26 vie, 2 file, passo 2.54mm, Serie: SEK 19, Orientamento: Angolo destro, Protetto/Non protetto: Protetto, Tipo di connettore: Filo-Scheda, Tipo di montaggio: Montaggio con foro passante, Terminazione: Saldare, MPN: 09195266323.

7Ω, 0603 (1608M), ±1%, 0.KOA Resistenza SMD Film spesso, 2.

39mm, Lunghezza: 6.73mm, MPN: FDD86540.

Vishay Diodo raddrizzatore e Schottky, Su foro, 60A, 300V, TO-247AD 3L, Impieghi generici, Configurazione diodi: Singolo, Diodo: Diodo epitassiale a recupero rapido, Numero di elementi per chip: 1, MPN: VS-60APH03L-N3.

73mm, MPN: FDD86540.onsemi MOSFET, canale N, 5,2 mΩ, 50 A, 136 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 60 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate minima: 2V, Dissipazione di potenza massima: 127 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -20 V, +20 V, Altezza: 2.

Vishay Diodo raddrizzatore e Schottky, Su foro, 60A, 300V, TO-247AD 3L, Impieghi generici, Configurazione diodi: Singolo, Diodo: Diodo epitassiale a recupero rapido, Numero di elementi per chip: 1, MPN: VS-60APH03L-N3.