onsemi MOSFET, canale P, 160 mΩ, 1,37 A, SOT-323, Montaggio superficiale, Tensione massima drain source: 20 V, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 1.5V, Dissipazione di potenza massima: 329 mW, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -8 V, +8 V, Lunghezza: 2.2mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: NTS4101PT1G
Componenti Elettronici e Connettori > Semiconduttori > Discreti > MOSFET
Onsemi MOSFET, Canale P, 160 MΩ, 1,37 A, SOT-323, Montaggio Superficiale
Specifications of Onsemi MOSFET, Canale P, 160 MΩ, 1,37 A, SOT-323, Montaggio Superficiale | |
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