ROHM IGBT, VCE 650 V, IC 88 A, TO-247GE
About The ROHM IGBT, VCE 650 V, IC 88 A, TO-247GE, Tensione massima gate emitter: ±30V, Dissipazione di potenza massima: 245 W, Numero di transistor: 1, Configurazione: Collettore singolo, emettitore singolo, gate singolo, MPN: RGWS00TS65GC13
ROHM IGBT, VCE 650 V, IC 88 A, TO-247GE, Tensione massima gate emitter: ±30V, Dissipazione di potenza massima: 245 W, Numero di transistor: 1, Configurazione: Collettore singolo, emettitore singolo, gate singolo, MPN: RGWS00TS65GC13
Componenti Elettronici e Connettori > Semiconduttori > Discreti > IGBT
ROHM IGBT, VCE 650 V, IC 88 A, TO-247GE
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